2025 年 10 月 15 - 18 日,武漢國(guó)際博覽中心將迎來(lái)一場(chǎng)聚焦芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛會(huì) ——2025 武漢芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)華中電子展。本次展會(huì)緊扣行業(yè)前沿,展示范圍涵蓋多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域,為芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建起絕佳的交流合作平臺(tái),助力行業(yè)蓬勃發(fā)展。
處理器芯片作為電子產(chǎn)品的 “大腦”,無(wú)疑是展會(huì)的焦點(diǎn)之一。高性能的中央處理器(CPU)將亮相,無(wú)論是應(yīng)用于個(gè)人電腦的桌面級(jí) CPU,憑借強(qiáng)大的運(yùn)算能力和多線程處理能力,保障復(fù)雜軟件和多任務(wù)運(yùn)行的流暢性;還是用于智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的移動(dòng)端 CPU,在兼顧低功耗的同時(shí),能快速響應(yīng)各類(lèi)操作指令,滿足人們隨時(shí)隨地高效使用設(shè)備的需求。
圖形處理器(GPU)同樣備受矚目,其專(zhuān)為圖形處理和并行計(jì)算而設(shè)計(jì),在電腦游戲、專(zhuān)業(yè)圖形設(shè)計(jì)、人工智能訓(xùn)練等對(duì)圖像渲染和數(shù)據(jù)運(yùn)算要求極高的領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用,展示其卓越的浮點(diǎn)運(yùn)算性能和高速的數(shù)據(jù)處理速度,讓參觀者直觀感受到其強(qiáng)大的圖形處理魅力。
存儲(chǔ)芯片關(guān)乎著數(shù)據(jù)的 “棲身之所”,在展會(huì)上也將呈現(xiàn)豐富的類(lèi)型。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)以其讀寫(xiě)速度快、成本相對(duì)較低的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電腦內(nèi)存等領(lǐng)域,滿足系統(tǒng)快速存取數(shù)據(jù)的需求。而閃存芯片(Flash Memory)中的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)主控芯片更是亮點(diǎn)所在,它能實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)讀寫(xiě),配合閃存顆粒,讓固態(tài)硬盤(pán)在存儲(chǔ)容量不斷提升的同時(shí),讀寫(xiě)性能遠(yuǎn)超傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán),在個(gè)人電腦、服務(wù)器以及各類(lèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中心有著大量應(yīng)用,為數(shù)據(jù)的安全、快速存儲(chǔ)保駕護(hù)航。
傳感器芯片宛如電子設(shè)備的 “觸角”,能夠敏銳感知外界環(huán)境變化。比如,圖像傳感器芯片能將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),憑借高像素、高感光度等特性,廣泛應(yīng)用于手機(jī)攝像頭、安防監(jiān)控?cái)z像頭等,捕捉清晰、細(xì)膩的圖像畫(huà)面。還有加速度傳感器芯片、陀螺儀芯片等,在智能手機(jī)、智能穿戴設(shè)備中用于檢測(cè)設(shè)備的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)、姿態(tài)變化,實(shí)現(xiàn)屏幕自動(dòng)旋轉(zhuǎn)、步數(shù)統(tǒng)計(jì)等功能,為智能設(shè)備的交互體驗(yàn)提供有力支撐。
硅作為最主要的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料,有著舉足輕重的地位。高純度的單晶硅片將展示其近乎完美的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電學(xué)性能,是制造各類(lèi)芯片的關(guān)鍵襯底材料,從普通的消費(fèi)級(jí)芯片到高端的集成電路芯片,都離不開(kāi)它的支撐。同時(shí),還會(huì)呈現(xiàn)硅材料在不同工藝制程下的應(yīng)用,如通過(guò)光刻、蝕刻等工藝在硅片上構(gòu)建復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu),體現(xiàn)其作為半導(dǎo)體基石的重要性和可塑性。
化合物半導(dǎo)體材料則為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多拓展空間。氮化鎵(GaN)材料憑借其寬禁帶、高電子遷移率等特點(diǎn),在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域大放異彩,尤其適用于制造高效的功率放大器、電源開(kāi)關(guān)等器件,顯著提升電能轉(zhuǎn)換效率,在快充充電器、5G 基站等設(shè)備中應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)材料同樣以其高硬度、高熱導(dǎo)率和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì),在高溫、高壓、高功率的應(yīng)用場(chǎng)景下表現(xiàn)出色,比如應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)的功率模塊,助力提升整車(chē)的性能和續(xù)航能力,展現(xiàn)出化合物半導(dǎo)體獨(dú)特的應(yīng)用價(jià)值。
光刻設(shè)備堪稱(chēng)半導(dǎo)體制造的 “精密畫(huà)筆”,是芯片制程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。極紫外光刻(EUV)設(shè)備將展示其超短波長(zhǎng)的光源技術(shù)以及超高的分辨率,能夠在晶圓上刻畫(huà)出極小的電路圖案,助力芯片制程向更先進(jìn)的納米級(jí)別邁進(jìn),決定著高端芯片能否實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn),盡管其技術(shù)復(fù)雜、造價(jià)高昂,但卻是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高性能發(fā)展的核心力量。
刻蝕設(shè)備則如同 “雕刻刀”,負(fù)責(zé)將光刻后的圖形精確地轉(zhuǎn)移到晶圓上,去除不需要的半導(dǎo)體材料。等離子體刻蝕設(shè)備通過(guò)產(chǎn)生高能等離子體,對(duì)特定區(qū)域的材料進(jìn)行精準(zhǔn)刻蝕,實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)構(gòu)建,在提高芯片集成度、優(yōu)化性能方面起著不可或缺的作用,其刻蝕的精度、均勻性以及對(duì)不同材料的選擇性等技術(shù)指標(biāo)將在展會(huì)上充分展現(xiàn)。
組委會(huì):李凱 安娜 177 4355 0392 177 4355 1560
V :expo-Mrli V: EXPO-ANNA
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薄膜沉積設(shè)備負(fù)責(zé)在晶圓表面沉積各種薄膜材料,為芯片制造構(gòu)建功能各異的 “保護(hù)層” 和 “功能層”。化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備利用化學(xué)反應(yīng)在高溫、真空等條件下,將氣態(tài)的前驅(qū)體材料沉積到晶圓表面,形成如絕緣層、金屬連線層等薄膜;物理氣相沉積(PVD)設(shè)備則通過(guò)物理手段,如蒸發(fā)、濺射等,實(shí)現(xiàn)金屬薄膜的沉積,滿足芯片不同功能區(qū)域?qū)τ趯?dǎo)電、絕緣等性能的要求,保障芯片結(jié)構(gòu)的完整性和功能的穩(wěn)定性。
半導(dǎo)體封裝技術(shù)旨在保護(hù)芯片并實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的良好連接。先進(jìn)的倒裝芯片封裝(Flip Chip)技術(shù)將展示其通過(guò)將芯片的有源面直接與基板連接,減少了信號(hào)傳輸延遲,提高了散熱性能,廣泛應(yīng)用于高性能芯片封裝中。同時(shí),系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)也備受關(guān)注,它能將多個(gè)不同功能的芯片、無(wú)源元件等集成在一個(gè)封裝體內(nèi),實(shí)現(xiàn)更小的封裝尺寸和更強(qiáng)大的功能集成,在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備等對(duì)空間和性能要求苛刻的產(chǎn)品中發(fā)揮重要作用,展現(xiàn)出封裝技術(shù)對(duì)于提升芯片應(yīng)用價(jià)值的重要意義。
為確保芯片的質(zhì)量和性能符合要求,測(cè)試設(shè)備必不可少。自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)將展示其強(qiáng)大的功能,可對(duì)芯片的電氣性能、功能完整性等進(jìn)行全面檢測(cè),模擬各種實(shí)際工作環(huán)境,檢測(cè)芯片在不同條件下是否能正常工作,快速篩選出不合格產(chǎn)品,保障流入市場(chǎng)的芯片具備可靠的品質(zhì),為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展把好最后一道關(guān)。
本次展覽會(huì)將匯聚眾多芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的前沿成果,誠(chéng)邀各界人士屆時(shí)前來(lái)參觀交流,共同推動(dòng)華中地區(qū)乃至全國(guó)芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,為我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的騰飛注入強(qiáng)大動(dòng)力。
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